正浩创新 电力电子硬件一面筋
1.熟悉哪些拓扑
2.应用上有什么区别,为什么
3.变压器的匝比 感量怎么计算
4.反激的反馈电路是怎么样的,为什么这么设计
5.反馈进入反激芯片内部做了哪些工作
6.431并的rc是怎么计算的
7.mos选型
8.mos尖峰电压组成
9.rcd的工作原理
10.项目背景 对项目做的优化
11.llc的k值 q值的计算
12.漏感的计算
13.为什么选铁氧体磁芯
14.llc软开关的工作过程
15.氮化镓的优缺点,和普通mos的区别,造成区别的原因是什么
主包已经玩了两周临时接到面试,纯被拷打😤
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3.变压器的匝比 感量怎么计算
4.反激的反馈电路是怎么样的,为什么这么设计
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