1、均匀掺杂材料中，方块电阻的单位是Ω/□ （对）    2、同等规格的方块电阻参数N阱的方块电阻参数大于多晶硅的。（对）3、多层金属相互交叉形成堆叠电容器， 可以部分解决单位面积电容较大的问题。（错）    4、很多 CMOS 和BiCMOS 工艺已经包含了多层的多晶硅，所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤。（对）    5、品质因数的一般性原则Q值和频率相关。（对）    6、热击穿和二次击穿通过限制晶体管的工作条件来避免。（对）    7、饱和的NPN管还可以提供希望的衬底电流，饱和也会引起一种称为电流翘曲的失效机制。（错）    8、少子保护环可以防止闩锁效应，但是在 CMOS 工艺中容易实现。（错）    9、与双阱工艺相比，单阱工艺简单且成本低，但亚微米工艺通常需要（两）种阱。（对）    10、N阱CMOS工艺中，为保证电路的功能，N阱接在电路的最低电位。（错）    11、导体具有允许电流通过它流动的能力。（对）    12、电阻率又称为电导率。（错）    13、由于成本原因，片上集成电容不会超过几百皮法，大的电容都是采用片内方式实现。（错）    14、很多 CMOS 和BiCMOS 工艺已经包含了多层的多晶硅，所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤（对）。    15、制造多个电感，并使之发生磁耦合这样的结构称为变压器。集成变压器很少使用。（对）    16、热电压 VT与绝对温度线性相关，在 298K（25°C）时为 26mV 。（对）    17、基极开路时集电极和发射极间的击穿电压用 VCEO 表示，由于β倍增效应，VCEO 比 VCBO要大得多。（错）    18、器件跨导k决定了在给定Vgst的情况下流过MOS管的漏极电流大小， 可表明一个MOS管的尺寸。（对）    19、MOS晶体管器件跨导随着温度的升高而升高。（错）    20、衬底或者阱也被称为MOS晶体管的阱。（错）       😎  更多IC岗笔面真题资源会陆续分享给大家的！整理不易！点个👍