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本次大赛基于 FD SOI 先进工艺,采用封闭式竞赛模式,由芯原专家组围绕模拟及射频电路设计方向命题,鼓励参赛队伍利用 AI 工具辅助完成电路设计及相关报告文档 。
FD SOI (全耗尽型绝缘体上硅 )是一种介于传统的平面体硅和三维 FinFET之间的器件结构,具有低功耗、高集成的特点。它还兼有平面工艺的简单、低成本, SOI工艺的低漏电、抗辐射,以及接近 FinFET 的高性能等特点,而且额外支持灵活的衬底偏压技术。 FD SOI 已经在物联网、移动设备等领域获得广泛采用,同时也非常适用于对可靠性要求更高的汽车电子等领域。
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