大赛介绍 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）是一种介于传统的平面体硅和三维FinFET之间的器件结构，具有低功耗、高集成的特点。它还兼有平面工艺的简单、低成本，SOI工艺的低漏电、抗辐射，以及接近FinFET的高性能等特点，而且额外支持灵活的衬底偏压技术。FD-SOI已经在物联网、移动设备等领域获得广泛采用，同时也非常适用于对可靠性要求更高的汽车电子等领域。本次大赛基于FD-SOI先进工艺，采用封闭式竞赛模式，由芯原专家组在模拟及射频电路设计方向命题，经过2天的赛前培训后，将于线下公布赛题并开展封闭竞赛。参赛队根据命题的要求，基于竞赛的统一平台设计，独立完成一个满足性能指标要求的电路设计并提交相应设计报告。专家组选拔出晋级队伍参与大赛的最终评审答辩，对参赛作品从赛题完成度及自主创新性进行成绩评定。大赛日程大赛报名   3月17日-4月11日线上赛前培训4月16日*线上培训通道将于4月中旬统一发送到团队报名邮箱线下赛前培训及赛题公布        4月24日封闭式竞赛  4月25日-4月26日晋级队伍答辩 4月27日大赛地点南京市鼓楼区中央路329号香格里拉酒店参赛要求3人完整组队参赛，队员构成可跨学校、跨年级、跨专业，每位参赛者只能加入1支队伍，同一队伍中至多1位往届参赛选手；具备电路设计基础，熟悉Cadence Virtuoso软件使用，具有正式学籍的全日制本科生、研究生均可报名参赛大赛奖励一等奖（1队）芯原实习机会、20000元奖金、获奖证书二等奖（2队）芯原实习机会、10000元奖金、获奖证书三等奖（3队）芯原实习机会、6000元奖金、获奖证书优胜奖（若干）定制纪念奖品、获奖证书*以上奖金均为税前金额*大赛不收取报名费，大赛最终解释权归主办方所有