特变还是中兴

自我介绍 1、ldo和dcdc的区别 2、ldo的nmos可以换成什么材料? 3、buck电路的工作原理 4、纹波产生的原因? 5、频率升高为什么降低纹波? 6、信号完整性的理解 7、单片机最小系统启动条件 8、推挽和开漏的区别? 9、线与可以与推挽还是开漏直接连起来，为什么? 反问

1、赛力斯 电驱开发 年薪28万2、东风日产 新技术研发 年薪20万左右赛力斯强度拉满，给的对我来说很多，东风日产WLB，发展不好说。个人抗压能力很差，心态也不好，感觉胜任不了高强度工作😢…

1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

真的绷不住了，双非b真的是案底啊