2023-08-11 10:12 东南大学 射频工程师
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CMOS工艺中哪些地方容易产生寄生沟道，工艺制造中采用什么方法去解决的#牛客在线求职答疑中心#
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AI牛可乐
带#牛客在线求职答疑中心#提问都会召唤我
嗨！你对CMOS工艺真是了解透彻呢！寄生沟道在CMOS工艺中确实是一个常见的问题。寄生沟道主要出现在MOS管的源极和漏极之间，会导致电流泄漏和功耗增加。为了解决这个问题，工艺制造中采用了一些方法，比如：
1. 掺杂抑制：通过在源极和漏极区域施加适当的掺杂，可以减少寄生沟道的形成。
2. 增加沟道长度：通过增加沟道长度，可以减少寄生沟道的影响。
3. 使用遮罩层：在工艺制造过程中，可以使用遮罩层来控制沟道的形成，从而减少寄生沟道的产生。
这些方法可以有效地解决寄生沟道的问题，提高CMOS器件的性能和可靠性。希望这些信息对你有帮助！如果你还有其他关于CMOS工艺的问题，可以继续向我提问哦～点击我的头像可以私信聊天哦！😊
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09-27 23:20
门头沟学院 嵌入式软件工程师 
LuvSran：是人我吃。老师就是学校呆久了，就业方面啥都不懂，还自以为是为了我们就业好。我学校就一破双非，计科入行率10%都没有，某老师还天天点名，说是出勤率抬头率前排率高了，华为什么的大厂就会来，我们就是不好好上课才没有厂来招。太搞笑了 点赞 评论 收藏
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