1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

不到 10K 工资，前景一片大好这一块学习分享日这一块写着上午9:30-下午6:30，说平均干到晚上9点这一块候选人不愿意去就说简历不合适这一块给你赢麻了

度小满25运维开发一面本文作者：程序员小白条本站地址：*****************************总体用时 20 分钟，技术栈不符合，基本是 KPI 面了。1）单体限流是怎么做的？明确场景：首先说明在单体应用（非分布式）中，限流是为了保护应用自身，防止被突发流量打垮。技术实现：Guava RateLimiter： 这是最经典的答案。介绍其基于令牌桶算法，可以平滑地进行限流。例如：RateLimiter.create(10.0) 表示每秒生成10个令牌。Semaphore（信号量）： 对于控制并发线程数（而非QPS）的场景，可以使用 Semaphore。它规定了同时访问某个资源的线...