1、集成电路版图设计师共设 4 个等级，分别是 版图设计员 、 助理版图设计师 、 版图设计师 、 高级版图设计师 。   2、元素周期表中一些元素（如硅锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫 半导体 。   3、标准双极工艺基区方块电阻的典型范围为 100 ~ 200 Ω/□ 。4、发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散又制作在一个__N阱__内。   5、在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为 0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐__减小__。    6、使用高介电常数的电介质，利用相对较小的区域制作__大电容器__。    7、结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结__反偏__，该接触也是的集电结和发射结并联，从而增大了总电容。    8、品质因数的一般性原则寄生效应越小，Q__越大__。    9、集电极开路时发射结击穿电压表示为 VEBO。对于标准双极型工艺制造的 NPN晶体管，VEBO大约 __7V__左右。    10、当 NPN 晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入__饱和工作__状态。    11、发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。采用圆形是为了防止发射区拐角处的__电场增强__。    12、使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂 P型扩散区用于制作 __NMOS___ 晶体管。    13、MOS晶体管是__4__端器件。    14、器件的几何图形加工精确的介质物理学对图像的大小和__层次__    15、集成电路版图设计步骤：__线路图__、___版图__、__DRC__、__LVS__。    16、LayOut的含义是指：___版图 。     17、集成电阻通常由扩散或者沉淀层形成，通常可以用厚层一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为__方块电阻__。    18、由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5 ~ 100Ω）的区域。对于发射区电子可以忽略__电压调制__和__电导调制效应__。    19、在模拟BICMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入__P型__外延层内。    20、电容的标准单位为__法拉__。    21、__多晶硅栅__可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。    22、单位面积电容与相对介电常数(电介常熟) 成__正比__关系    23、流过导体的电流会在导体周围产生__磁场__。    24、发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的__最大工作电压__。    25、发射极开路时集电极的击穿电压表示为 VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是__轻掺杂__的。    26、二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准__电压源__。    27、使用 P型外延层，必须加入深的轻掺杂 N型扩散区用于制作 PMOS 晶体管。    28、MOS晶体管是一种__电压__控制器件    29、根据版图设计规则中的_poly__器件的最少沟道长度。    30、电路图与布局结果对比是__LVS__。       😎 更多IC岗笔面真题资源会陆续分享给大家的！整理不易！点个👍