海思·联发科·大疆 大厂数字IC笔试模拟题(八)【带答案】

此系列模拟试卷综合了海思，联发科，紫光等多达十家公司的历年常见笔试题并附上了答案，是数字IC笔试的精华部分。目的不仅仅是帮助应聘者检验前面知识点的学习成果，加深对笔试题目的理解，还致力于助力应聘者都能顺利通过笔试。欢迎大家查漏补缺。

25:

假设如下每个小方块铝片的电阻位1欧姆，请问如下图形铝片的电阻为（）

A．     6

B．     8

C.      12

D．    10

R=Rs*L/W (Rs为1，L为长度，W为宽度)。可将如上图形分为三部分：其中两部分为两个宽度为1的方块串联， 一部分为4个方块串联，宽度为2。根据公式计算出三部分的电阻都为2， 则上图铝片的电阻为2×3=6欧姆。

关键考点：电阻计算公式

26:

新的technology node边长大约是之前的多少%来达到面积缩小一半？( )
A.    60%

B.    70%

C.    50%

D.    80%

技术节点（也是工艺节点、工艺技术或简单节点）是指具体的半导体制造工艺及其设计规则。一般来说，技术节点越小意味着特征尺寸越小，速度越快，功率效率越高。

每个节点的接触多晶硅节距（CPP）和最小金属节距（MMP）需要按大约0.7倍的比例缩放。换句话说，缩放比例为(0.7x CPP) x(0.7x MMP)近似等于0.5倍的面积。

关键考点：对先进工艺的了解以及技术节点概念的考察

27:

在Verilog中，关于task和function描述正确的是( )

A.  task可以有时间延迟，function不可以

B.  function可以有时间延迟，task不可以

C.  task和function都不可以有时间延迟

D.  task和function都可以有时间延迟

函数不能包含任何延迟，事件或者时序控制声明语句；任务可以包含延迟，事件或者时序控制声明语句。