1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

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三大部分:手撕+项目+基本情况(学习生活等)其他问的都很基础，基本没有深挖，偶尔有几个基础八股，但手撕难度还是有的，在纸上用笔写难度++(主要是不习惯)。@一面手撕:拓扑排序@二面手撕:(四选二，只记得三个了，前两个选一个，后两个选一个)1、判断链表有没有环:3、比较版本号;4、实现快排前两面都面了很久，代码写了很久，三面面试官可能比较忙，看我就在本部门实习的，聊的也比较开心，十几分钟就结束了。总结:华为总共面了五次(实习两面)，面试官都非常和蔼，全程笑嘻嘻，但是我的岗位base只有上海，很难受。