FPGA数字IC笔试面试012—MOS管逻辑表达式/与非或非
笔试实例：
1. MOS 管简介
金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），G（Gate，栅极），D（Drain，漏极），S（Source，源级）。场效应管分为 PMOS 和 NMOS，属于绝缘栅场效应管。
NMOS：三线表示的时候，箭头进来的是 NMOS；二线表示的时候，箭头出去的是 NMOS；
PMOS：三线表示的时候，箭头出去的是 PMOS；二线表示的时候，箭头进来的是 PMOS；
2. MOS 管搭建非门
图片来自：硅农。
图上注释：FPGA探索者。
3. MOS 管搭建与非门
上并下串，上边为 PMOS，二线输入；下边为 NMOS，二线输出。
①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通，3、4管截止，C端电压与VDD一致，输出高电平。
②、A输入高电平，B输入低电平时，1、3管导通，2、4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致，输出高电平。
③、A输入低电平，B输入高电平时，情况与②类似，亦输出高电平。
④、A、B输入均为高电平时，1、2管截止，3、4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。
①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通，3、4管截止，C端电压与VDD一致，输出高电平。
②、A输入高电平，B输入低电平时，1、4管导通，2、3管截止，C端输出低电平。
③、A输入低电平，B输入高电平时，情况与②类似，亦输出低电平。
④、A、B输入均为高电平时，1、2管截止，3、4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。
4. MOS 管搭建或非门
上串下并，上面为 PMOS ，下面为 NMOS。
5. MOS 管逻辑笔试实例
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Y = ((A') + (B') + (C'))' = (ABC)
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