嵌入式大厂面经 电路基础常见面试题(二级管、三级管、MOS管)(持续更新中!)
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半导体器件常见面试题
一、二极管基础知识
1. 基本结构与工作原理
- PN结构:由P型半导体和N型半导体组成
- 单向导电性:正向偏置导通,反向偏置截止
- 伏安特性:非线性特性,有导通电压降
2. 常见二极管类型
- 普通二极管:整流、检波等
- 稳压二极管:利用反向击穿特性稳定电压
- 肖特基二极管:金属-半导体结,正向压降低,开关速度快
- 发光二极管(LED):正向导通时发光
3. 常见面试问题
- 二极管的导通电压是多少?硅二极管:约0.6-0.7V锗二极管:约0.2-0.3V肖特基二极管:约0.2-0.4VLED:约1.2-3.0V(取决于颜色)
- 二极管的主要参数有哪些?最大正向电流(IF)最大反向电压(VR)正向压降(VF)反向漏电流(IR)结电容(CJ)恢复时间(trr)
- 如何判断二极管的好坏?
二、三极管(BJT)
1. 基本结构与工作原理
- 结构:NPN型和PNP型两种
- 三个区域:发射区(E)、基区(B)、集电区(C)
- 工作原理:基极电流控制集电极电流,具有电流放大作用
- 放大倍数:β = IC/IB(典型值50-300)
2. 工作模式
- 截止区:IB=0,IC≈0
- 放大区:基极-发射极结正偏,集电极-基极结反偏
- 饱和区:两个PN结都正偏
- 击穿区:超过最大额定值,可能损坏器件
3. 常见应用电路
- 共发射极放大电路
- 开关电路
4. 常见面试问题
- 三极管的三种工作状态如何区分?截止状态:VBE < 0.7V,IC ≈ 0放大状态:VBE > 0.7V,VCE > VCE(sat)饱和状态:VBE > 0.7V,VCE ≈ VCE(sat)(约0.2-0.3V)
- NPN和PNP三极管的区别?结构不同:NPN由两个N型半导体夹一个P型,PNP相反电流方向不同:NPN的电流从集电极流向发射极,PNP相反偏置电压不同:NPN需要基极正偏,PNP需要基极负偏应用场合不同:NPN更常用于低侧开关,PNP常用于高侧开关
- 三极管的主要参数有哪些?电流放大系数(β)集电极最大电流(IC(max))集电极-发射极击穿电压(VCEO)集电极-基极击穿电压(VCBO)基极-发射极击穿电压(VEBO)饱和电压(VCE(sat))转换频率(fT)
- 三极管的温度特性如何?
- 如何设计三极管开关电路?
三、MOS管(MOSFET)
1. 基本结构与工作原理
- 结构:N沟道和P沟道两种
- 四个区域:源极(S)、栅极(G)、漏极(D)、衬底(B)
- :栅极电压控制漏源电流,属于电压控制器件
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