击穿位置一般是在电场极大值的位置,考虑平面结及掺杂浓度不随深度变化的情况,利用泊松方程和边界条件就可以得到电场极大值就是在PN结交界面,那么要提高耐压就得降低掺杂浓度,耗尽区也主要是在低掺杂的一侧,耐压也主要是在低掺杂的一侧。
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