全球碳化硅外延片市场规模预计2031年将达到146.6亿美元

在半导体产业蓬勃发展的当下，碳化硅外延片正以其独特的优势和巨大的市场潜力，成为行业瞩目的焦点。据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）权威统计与精准预测，2025年全球碳化硅外延片市场销售额已达27.37亿美元，而到2031年，这一数字将飙升至146.6亿美元，在2025 - 2031年期间，年复合增长率（CAGR）高达32.3%！

外延片，简单来说，是在晶圆基础上，通过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆与外延薄膜共同构成了外延片。而碳化硅外延片，则是在碳化硅衬底上，精心生长出一层与衬底晶向相同、符合特定要求的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。

SiC外延环节，犹如一场精密的“晶体舞蹈”，通过化学气相沉积、液相外延、分子束外延或升华外延等方法，在SiC衬底上生长出具有特定要求且晶体取向与衬底相同的单晶薄膜。目前，化学气相沉积法凭借其大规模生产的优势，成为行业主流。外延过程就像给晶体表面进行了一次“整容手术”，使表面晶格排列整齐，大幅优化衬底形貌，有效减弱晶体生长与加工中引入的缺陷带来的不利影响，从而显著提升SiC器件的性能与可靠性。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格，进而衍生出不同系列的产品，满足多样化的市场需求。

全球碳化硅外延片（Silicon Carbide Epitaxial Wafer）市场呈现出高度集中的竞争格局。Wolfspeed、瀚天天成、Resonac、ROHM (SiCrystal)和天域股份(TYSiC)等核心厂商，凭借深厚的技术积累、卓越的产品质量和广泛的市场渠道，占据了全球大约72%的市场份额，引领着行业的发展方向。

值得一提的是，中国在全球碳化硅外延片生产领域占据着举足轻重的地位，拥有接近45%的市场份额。这不仅体现了中国在半导体产业领域的强大实力，也为国内相关企业提供了广阔的发展空间和机遇。

从产品类型来看，6英寸碳化硅外延片是市场的“主力军”，占有大约88%的份额。而在下游应用领域，600 - 1200V SiC器件成为最大的需求方，占有49%的份额，广泛应用于新能源汽车、电力电子等众多领域。