在半导体制造领域,有一种金属有机化合物堪称“薄膜基石”,它是化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)工艺中制备关键薄膜的核心前体——这就是四(二甲氨基)钛(TDMAT)。作为一种挥发性液态钛源,其高反应性特点使其适用于低温沉积工艺,尤其在制备氮化钛(TiN)涂层方面发挥着不可替代的作用,为半导体器件的性能提升提供了重要支撑。从市场发展态势来看,这一细分领域正展现出强劲的增长活力。根据GIR(Global Info Research)调研数据,2024年全球四(二甲氨基)钛(TDMAT)市场收入约达265百万美元,预计到2031年将增长至446百万美元,在2025至2031年期间,年复合增长...