某半导体的存储器容量4K×8位。其中固化区2K×8位(低地址),用1K×8位的EPROM芯片组成;随机读写区2K×8位(高地址),由2K×8位的
EPROM芯片组成。地址总线A
11
-A
0
,
双向数据总线D
7
-D
0
,
控制读写。试问:
(1) 数据缓冲寄存器多少位?地址寄存器多少位?
(2) 二中芯片各需多少片?求每片芯片的片选逻辑式与地址分配完成下表。
(3)
设计并完成存储器逻辑图,注明芯片与地址总线、数据总线和
信号线的连接,并实现片选逻辑。
逻辑图: