技术面: 1，自我介绍+项目介绍，项目延伸会问很多问题 2，MOS选型怎么考虑 3，驱动部分如何设计的 4，变压器怎么设计的 5，MOS管DS极并的电容有什么用 6，SiC MOS四引脚和三引脚的区别 7，反问 职业选择、行业趋势 对候选人主要考察哪些 后续面试流程 整体环节35min左右，面试官很有经验，收获很多。

不是刚投，投完就挂了。

1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问