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在一款5V电源去耦位置使用10 µF、6.3 V、X5R 0

[单选题]
在一款5V电源去耦位置使用10 µF、6.3 V、X5R 0805 MLCC,实测直流偏置下有效电容仅约3 µF。若不改变标称电容与封装高度限制,最有效提升直流条件下有效电容的做法是?
  • 改用同封装、相同电压等级的Y5V电介质
  • 将该电容与一个同值电容串联
  • 选用更高额定电压(如16 V)的X5R同封装电容
  • 在电容并联一个小阻值电阻以改善偏置特性

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