带隙基准源需要启动电路。
带隙基准电路中同时存在正、负反馈回路,且正反馈程度比负反馈深。
该基准不可用于低压电路。
在n阱工艺中,带隙基准电路的BJT为PNP型,因为与工艺兼容性好。
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