以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不（ &...

RAM共有两大类，分别是SRAM和DRAM，SRAM的读写速度非常快，但是在价格方面会非常昂贵，而DRAM保留数据的时间非常短，读写速度也比SRAM慢，不过它还是比任何ROM要快，价格也比较便宜，所以在计算机中普遍使用。 根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。[7] 静态随机存储器（SRAM） 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留，状态稳定，不需外加刷新电路，从而简化了外部电路设计。但由于SRAM的基本存储电路中所含晶体管较多，故集成度较低，且功耗较大。[7] SRAM特点如下： ●存储原理：由触发器存储数据。[8] ●单元结构：六管NMOS或OS构成。[8] ●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache。[8] ●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大。[8] ●常用的SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位），2114（1K×4位）。[8] 动态随机存储器（DRAM） DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单，集成度高。由于任何电容都存在漏电，因此，当电容存储有电荷时，过一段时间由于电容放电会导致电荷流失，使保存信息丢失。解决的办法是每隔一定时间（一般为2ms）须对DRAM进行读出和再写入，使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充，原处于电平“0”的电容仍保持“0”，这个过程叫DRAM的刷新。[7] DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作，主要表现在以下几点： （1）刷新地址由刷新地址计数器产生，不是由地址总线提供。[7] （2）DRAM基本存储电路可按行同时刷新，所以刷新只需要行地址，不需要列地址。[7] （3）刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态，即片内数据线与外部数据线完全隔离。[7] DRAM与SRAM相比具有集成度高、功耗低、价格便宜等优点，所以在大容量存储器中普遍采用。DRAM的缺点是需要刷新逻辑电路，且刷新操作时不能进行正常读，写操作。[7] DRAM特点如下： ●存储原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）。[8] ●刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作。[8] ●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。[8] ●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低。[8] ●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。[8] 尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。