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下列功耗措施哪个可以降低峰值功耗

[单选题]

下列功耗措施哪个可以降低峰值功耗

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Power Gating
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```
大幅度提高HVT比例
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静态模块级Clock Gating
```
```
Memory Shut Down
```

查看正确选项

简丶生

答案上貌似选择B，即采用高HVT

（查过一些资料以后，觉得这个应该选择C

我认为：

首先，峰值功耗应该是属于动态功耗中的短路功耗，即NMOS和PMOS同时导通所引起的峰值电流，最终带来的功耗。这个功耗和电源电压，时钟翻转率，以及峰值电流有关

答案中

A 电源门控计数，即模块不工作的时候，关闭电源，模块睡眠，工作时候再启动电源，因而也是降低静态功耗

B 即采用高阈值电压的晶体管阈值电压增加的效果在于降低亚阈值漏电电流，因而降低静态功耗

C 显然降低时钟翻转率，故应该为正确的

D 存储关闭。即不被访问的时候，关闭存储（有点不是很理解），因而也应该是降低静态功耗）

编辑于 2019-07-08 15:51:31 回复(4)

星瞳丶

HVT：high voltage value 晶体管：开启慢，漏电流小，功耗小

发表于 2019-07-01 09:15:24 回复(1)

ETAZ

峰值功耗在不同制程侧重点应该不一样，在超深亚微米中：

1、大于100nm是动态功耗主导，以降低动态功耗为主要手段，可以采用Clock Gatting，多电压阈等技术；

2、而在小于100nm制程中，静态功耗迅速增加，超过了动态功耗，成为峰值功耗的大头，为此以降低其为主要方向，可以采用“大幅提高HVT比例”、Power Gatting、Memory Shut Dowm等技术。

因此本题貌似不够严谨，鉴于目前大多工、商业芯片制程小于100nm，因此应选B。

发表于 2022-07-07 18:03:05 回复(0)

牛客515221287号

门控时钟，关闭芯片暂时用不到的功能和相应时钟，从而达到降低功耗的目的，所以和门控电源一样属于静态功耗

发表于 2020-04-14 16:57:34 回复(1)

嗯，知道知道

芯片越小，漏电流的功耗占比越大

1. 电源门控多电压类似，就是关闭不使用的芯片或者不使用的模块，（实现方式，采用晶体管开关控制）减少漏电流

2.提高hvt，高阈值晶体管，能有效的降低漏电流，降低静态功耗，因为翻转就是晶体管的充放电，所以高阈值晶体管较慢，而低阈值较快，大幅降低漏电流

3.时钟门控，体系结构级通过外部输入时钟关闭不必要的模块，或者rtl通过使能控制ff的写入

4.储存器电压关闭，关闭不必要的储存器，sram占总消耗的1/3;关闭后减少漏电流和功耗，或者将单纯存数据的sram降低供电电压

发表于 2022-06-29 14:00:44 回复(0)

酩月当空

C：题目是“静态模块级”门控时钟，相当于在有限长的一段时间内关闭该模块，而不是降低局部时钟翻转的那种，所以感觉在这块当作降低静态功耗用的。

发表于 2022-06-07 17:06:14 回复(0)

qian16828

😀

发表于 2020-07-30 15:48:47 回复(0)

Crazyhou

同意c 峰值一般发生在翻转

发表于 2020-02-11 15:36:19 回复(0)

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C++工程师硬件工程师 2019 寒武纪 Java工程师 fpga工程师

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