刻蚀研发工程师(J10146)

1.负责等离子刻蚀设备在芯片制造中的评估验证和工艺开发工作 2.负责硅/石英/介质/金属等材料刻蚀相关工艺项目的开发和导入评估，设计工艺流程，为产品提供有竞争力的工艺方案 3.具备数据的发掘与解析能力，负责提升工艺稳定性和均匀性，改善工艺开发流程 4.根据产品开发的需求，进行设调研和选型，提出改造设备的需求和方案，配合设备部门完成设备开发、研制工作 5.负责新机台的调研、申购以及工艺调试，并制定相应工艺技术文件 6.负责刻蚀工艺技术平台的搭建、维护和升级优化等

1.精通刻蚀工艺(RIE/ICP/CCP/IBE/ALE等)原理及设备结构 2.精通等离子刻蚀工艺，熟悉刻蚀机台的结构设计对工艺的影响 3.熟练掌握常规刻蚀以及Bosch工艺，具有深硅Trench/cavity/TSV刻蚀工艺以及金属/介质层 4.熟练掌握ICP/CCP/IBE等知名厂商刻蚀设备的操作、维护、改造技能 5.3年以上coms刻蚀工艺产品开发经验（硅电容/MEMS/DRAM/Logic） 6.具备多种复合膜系刻蚀开发项目经验（金属/介质/HK等材料），负责过刻蚀技术平台从0-1搭建