1.引言先看VA这一点，应该是负温度系数，斜率为-1.8mV/C，同时常温27℃下736mV，VA-VB是正温度系数，斜率为176uV/C,常温下电压值为55mV,如果我们将正温度系数的电压扩大一个系数1.8/0.176=10.23，再与负温度相加，理论上正负就抵消了，得到了一个想要的带隙基准电压，并且可以计算一下这个电压在常温下的值约为55mV*10.23+736mV=1299mV在testbench中用一个vcvs实现扩大倍数并相加的功能，DC扫描得到VREF的温度特性，可以看到基本实现了零温度系数的目标。其中Vref在整个温度变化范围内的偏差为2.9mV，换算成ppm为14.6ppm，并...

自偏置结构的电流源，不随VDD变化，用输出的电流反过来再作为输入的参考电流，从而输出是恒定电流，作为参考的输入也是恒定电流，VA=VB，因此VA和VB节点是等效的，将他俩直接相连时不会影响电路工作的。如果要设计10uA电流，中间电压设计为0.9V,VDD=1.8V已知该工艺MOS阈值电压和迁移率，就能根据电流平方律公式得到管子的宽长比。2.退化电阻确定电流的电流源假设要设计10uA的电流源，VDD=1.8v，先计算上方两个PMOS的宽长，仍选定过驱动电压为0.2V,计算得PMOS的宽长比为7.6，再来设计mn1，同样选择过驱动电压为0.2V,求得mn1的宽长比为4.8，再来看mn0，由于这个电...

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请问谁能详细解释一下答案吗？不太理解这个方法，但是觉得这是一种技巧，算起来会快很多，求大佬帮忙看看，感谢！