华为面试

1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

七月多面的 提前批一天速通部门： 网约车技术部 出行业务

第一次在一个被人吐槽的软件上遇到这么好的hr，即使没有入职这家公司，隔着屏幕也真的很感动了

1、自我介绍，介绍项目，自己负责的哪块，其他两块硬件懂不懂，底板具体有哪些东西。 2、介绍下你对DDR4的认识。 3、电源设计架构，电源设计怎么考虑的，选型依据。 4、具体来讲核电压设计怎么考虑的?电流要多少怎么考虑的? 5、功耗怎么估计的。 6、纹波要求，怎么控制纹波的，纹波产生原因，拓扑里面的感值应该取多大? 7、探讨了很多关于电源输出引脚该不该额外增加LC滤波问题。 8、PCB是自己画的吗，电路是参考开发板的吗? 9、电路设计中比较难的地方。保证信号完整性与电源完整性设计 10、对那些进行了电磁仿真。 11、具体仿真流程 12、具体说怎么导入的，导入后会做什么检查? 13、如果这些不一样...