1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

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1、自我介绍，介绍项目，自己负责的哪块，其他两块硬件懂不懂，底板具体有哪些东西。 2、介绍下你对DDR4的认识。 3、电源设计架构，电源设计怎么考虑的，选型依据。 4、具体来讲核电压设计怎么考虑的?电流要多少怎么考虑的? 5、功耗怎么估计的。 6、纹波要求，怎么控制纹波的，纹波产生原因，拓扑里面的感值应该取多大? 7、探讨了很多关于电源输出引脚该不该额外增加LC滤波问题。 8、PCB是自己画的吗，电路是参考开发板的吗? 9、电路设计中比较难的地方。保证信号完整性与电源完整性设计 10、对那些进行了电磁仿真。 11、具体仿真流程 12、具体说怎么导入的，导入后会做什么检查? 13、如果这些不一样...