【面经】无锡英斯特 模拟IC

技术面。1、画出电流模bandgap结构,说出温度补偿原理,电阻是否测过温度特性?用什么工艺,用3.3V MOS管还是1.8V MOS管?2、LDO的负载电容多大,响应时间多久,过冲多少?开环增益多少?相位裕度多少?PSRR多少?测量响应时间的方波上升时间设置多少?3、PLL有源晶振还是无源晶振,描述PLL的工作原理?jitter多少?4、Ring VCO结构?如何起振?VCO怎么作用于Ring?5、ADC栅压自举开关和传输门的区别?
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