【面经】无锡英斯特 模拟IC
技术面。1、画出电流模bandgap结构,说出温度补偿原理,电阻是否测过温度特性?用什么工艺,用3.3V MOS管还是1.8V MOS管?2、LDO的负载电容多大,响应时间多久,过冲多少?开环增益多少?相位裕度多少?PSRR多少?测量响应时间的方波上升时间设置多少?3、PLL有源晶振还是无源晶振,描述PLL的工作原理?jitter多少?4、Ring VCO结构?如何起振?VCO怎么作用于Ring?5、ADC栅压自举开关和传输门的区别?
全部评论
相关推荐
点赞 评论 收藏
分享
点赞 评论 收藏
分享
04-15 23:42
中山大学 Java 点赞 评论 收藏
分享
点赞 评论 收藏
分享