1.自我介绍 2.gan主要是水平型器件用的比较多 硅基gan的优势，应用场景有哪些 3.650V以内，hemt和垂直型mosfet底层技术有什么区别 4.对比碳化硅的优势 4IGBT的了解 5.SBD对比其他二极管的优势 我说双击退化效应，反向恢复特性 反向恢复影响什么，二者反向恢复特性为什么不同 6.pn结的双击退化效应影响什么 7.米勒效应 为什么会出现 在什么时候出现 为什么会在这个时候出现 8.对于之后岗位的规划 9.反问

本人广东某双非一本玩了三年的混子，这是前几天刚改出来的简历，无实习秋招没什么机会了，想先投个日常实习写简历上，再去投秋招补录和春招，所以项目也没有整新的，就是外卖和点评拓展了一些功能，真诚希望各位大佬对简历和思路给点建议和改进意见，不玻璃心，现在想听的就是真话

这是我目前做的最专业的一个笔试了岗位：数字IC设计工程师时长：120min，真的是刚好够用；题型：单选10道，20分；简答题：8道，80分；（1）单选，不太记得所有的了，写一下记得的吧：STA关键路径指的是什么? --- >最大的路径时沿；AHB总线协议里面，表示传输类型的信号？--> HTRANS；建立时间违例的改善方法？AXI哪个特性支持乱序完成？-->out of order;降低动态功耗的办法？哪个是非阻塞的总线协议？-->SPI什么叫同步时钟？--->同一个PLL产生的两个50M时钟（相位固定）（2）简答：写一个单bit脉冲信号跨时钟域的代码：同步异步F...