672百万美元到 1143百万美元！金属有机化学气相沉积设备以 7.7% 增速，开启第三代半导体黄金

根据路亿市场策略（LP Information）公司调研得出，2024年全球金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备市场规模大约为672百万美元，预计2031年达到1143百万美元，2025-2031期间年复合增长率（CAGR）为7.7%。美国关税政策及各国应对措施对该市场的竞争结构、区域经济表现和供应链韧性的影响值得关注。

设备定义与原理：MOCVD 设备是化合物半导体外延生长的关键工艺装备，通过在真空反应室内控制金属有机化合物和氢化物气体的热分解化学反应，在衬底表面实现原子级精度的单晶薄膜沉积，具备高均匀性、高重复性和大规模量产能力。​

核心地位与应用：作为第三代半导体制造的核心设备，主要用于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等化合物半导体材料的外延生长，是 LED、功率器件、射频芯片和光电子器件制造不可或缺的装备。按应用可分为 LED、功率器件及其他。​

产品类型：包括氮化镓基、砷化镓基、碳化硅基 MOCVD 设备及其他类型。​

市场驱动力：下游应用需求爆发（如 Mini/Micro LED 商业化、新能源汽车等带动的 SiC/GaN 功率器件需求、5G 基站对 GaN-on-SiC 外延的需求）、技术迭代升级及政策支持（如中国 “十四五” 规划、全球碳中和目标）。​

未来发展趋势：向更高技术壁垒和专业化方向发展，如大腔体、多片式设计以提高产能和良率，通过智能化与工艺优化减少耗材浪费；市场格局从 LED 主导转向 SiC/GaN 等高端应用，设备商需适应差异化需求；中国逐步打破欧美厂商垄断；钙钛矿光伏等新兴技术可能成为潜在增长点。

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