NXP、复旦微后端面经——社招

NXP

1.什么情况下天线效应可以通过跳层解决？

2.lef文件里面有哪些信息？def文件包含哪些信息？全称分别是什么？

lef：library exchange format

def：design exchange format

对于电源网络的连接，需要通孔阵列，lef中有包含via generation rule，对于不同尺寸的电源网络连接能够自动生成对应的via array，如4*4,6*6,8*8。

3.工具是如何std cell摆放到正确的位置上的？

lef中有定义std cell的原点位置及方向，然后site也有原点，将两个原点对齐即可将std cell摆放到正确的位置。

4.不同工作环境对应的pvt是多少？

例如：slow：1.2,1.62V，125℃

fast：1,1.9V，0℃

5.温度升高，对芯片的影响是什么？

器件阈值电压增大，造成延时增大；

金属线电阻增大，引起延时增大。

6.为什么温度升高电阻增大？

金属中电子的自由运动不规则，且金属中的原子在其附近位置振动，温度越高，振动越强，自由电子与原子间碰撞的几率越大，对电子的定向运动越有阻碍，即电阻增大。

复旦微

一共有10道选择，10道判断，10道填空和7道问答。

问答题如下：

1. 简述数字后端流程。

2. 天线效应产生机理及如何预防？

3. 画NOR电路图，真值表以及版图。

4. 什么是latch-up？产生过程，结果及如何预防？

5. 什么是ESD，产生途径有？

6. 尽可能多地描述MOS晶体管匹配规则。

7. 如何做好一颗芯片版图，需要考虑和注意什么？

以上是技术问题部分，其他的都是HR问的一些非技术问题，挺常规的。